HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PMV56XN,215 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 3.76 А, SOT23 — Даташит

NXP PMV56XN,215

Наименование модели: PMV56XN,215

10 предложений от 10 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 20V 3.76A 3Pin TO-236AB T/R
T-electron
Россия и страны СНГ
PMV56XN.215
NXP
7.32 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMV56XN215
NXP
17 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
PMV56XN215
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMV56XN,215
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 3.76 А, SOT23

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMV56XN
µTrenchMOSTM extremely low level FET
Rev.

02 -- 24 June 2004
M3D088
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 85 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 650 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 1.92 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Current Id Max: 3.76 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Enhancement
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 650 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

PMV56XN215, PMV56XN 215

На английском языке: Datasheet PMV56XN,215 - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 3.76 A, SOT23

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России