Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMZ1000UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.42 А, SOT883 — Даташит

NXP PMZ1000UN

Наименование модели: PMZ1000UN

32 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 480 мА, 1 Ом, DFN1006, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PMZ1000UN.315
Nexperia
5.22 ₽
ЭИК
Россия
PMZ1000UN,315
Nexperia
от 12 ₽
Akcel
Весь мир
PMZ1000UN,315
Nexperia
от 60 ₽
Acme Chip
Весь мир
PMZ1000UN
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 1.42 А, SOT883

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMZ1000UN
N-channel TrenchMOS standard level FET
Rev.

2 -- 17 September 2010
BOTTOM VIEW
Product data sheet

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 1.1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 8 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SC-101
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 480 мА
  • Power Dissipation Pd: 350 мВт

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PMZ1000UN - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 1.42 A, SOT883

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России