Datasheet PMZ250UN,315 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.28 А, SOT883 — Даташит
Наименование модели: PMZ250UN,315
Купить PMZ250UN,315 на РадиоЛоцман.Цены — от 25 до 1 557 ₽ 16 предложений от 10 поставщиков NEXPERIA - PMZ250UN,315 - MOSFET Transistor, N Channel, 200 mA, 20 V, 0.25 ohm, 4.5 V, 700 mV | |||
| PMZ250UN315 NXP | 25 ₽ | ||
| PMZ250UN315 NXP | 25 ₽ | ||
| PMZ250UN,315 | по запросу | ||
| PMZ250UN,315 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 2.28 А, SOT883
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PMZ250UN
N-channel TrenchMOS extremely low level FET
Rev.
01 -- 21 February 2008
BOTTOM VIEW
Product data sheet
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 200 мА
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 300 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Корпус транзистора: SOT-883
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
- Current Id Max: 2.28 А
- Тип корпуса: SOT-883
- Способ монтажа: SMD
- Тип транзистора: Enhancement
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 700 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Варианты написания:
PMZ250UN315, PMZ250UN 315
