ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet PSMN016-100YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 51 А, LFPAK — Даташит

NXP PSMN016-100YS

Наименование модели: PSMN016-100YS

29 предложений от 15 поставщиков
TRANSISTOR 51 A, 100 V, 0.0163 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, LFPAK-4, FET General Purpose Power
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN016-100YS.115
Nexperia
43 ₽
AiPCBA
Весь мир
PSMN016-100YS,115
TE Connectivity
46 ₽
Элитан
Россия
PSMN016-100YS
NXP
110 ₽
PSMN016-100YS,115
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 51 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN016-100YS
N-channel 100 V 16.3 m standard level MOSFET in LFPAK
Rev.

03 -- 30 March 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 12.7 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • Current Id Max: 51 А
  • Power Dissipation Pd: 117 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • CIRCUITWORKS - CW8100

Варианты написания:

PSMN016100YS, PSMN016 100YS

На английском языке: Datasheet PSMN016-100YS - NXP MOSFET, N CH, 100 V, 51 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России