Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PSMN1R5-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, LFPAK — Даташит

NXP PSMN1R5-30YL

Наименование модели: PSMN1R5-30YL

33 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 100 А, 0.0013 Ом, SOT-669, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN1R5-30YL.115
Nexperia
40 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN1R5-30YL
NXP
100 ₽
Akcel
Весь мир
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia
от 131 ₽
PSMN1R5-30YL,115
Nexperia
от 139 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN1R5-30YL
N-channel 30 V 1.5 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.

01 -- 9 April 2010 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 1.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • Current Id Max: 100 А
  • Power Dissipation Pd: 109 Вт

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • CIRCUITWORKS - CW8100

Варианты написания:

PSMN1R530YL, PSMN1R5 30YL

На английском языке: Datasheet PSMN1R5-30YL - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 100 A, LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России