Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PSMN8R3-40YS - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 70 А, SOT669 — Даташит

NXP PSMN8R3-40YS

Наименование модели: PSMN8R3-40YS

30 предложений от 16 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 70 А, 0.0066 Ом, SOT-669, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN8R3-40YS.115
Nexperia
25 ₽
ЧипСити
Россия
PSMN8R3-40YS
NXP
46 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN8R3-40YS,115
NXP
61 ₽
Элитан
Россия
PSMN8R3-40YS
NXP
63 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 70 А, SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN8R3-40YS
N-channel LFPAK 40 V 8.6 m standard level MOSFET
Rev.

01 -- 25 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On State Resistance: 6.6 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 70 А
  • Power Dissipation Pd: 74 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

PSMN8R340YS, PSMN8R3 40YS

На английском языке: Datasheet PSMN8R3-40YS - NXP MOSFET, N CH, 40 V, 70 A, SOT669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России