LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet BUK9Y53-100B,115 - NXP Даташит N CH полевой транзистор, TRENCH AUTOMOTIVE, 100 В, 35 А, 4-LFPAK — Даташит

NXP BUK9Y53-100B,115

Наименование модели: BUK9Y53-100B,115

22 предложений от 12 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 23 А, 0.041 Ом, LFPAK56, Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9Y53-100B.115
Nexperia
26 ₽
Триема
Россия
BUK9Y53-100B,115
Nexperia
39 ₽
ChipWorker
Весь мир
BUK9Y53-100B,115
NXP
52 ₽
Acme Chip
Весь мир
buk9y53100b.115
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: N CH полевой транзистор, TRENCH AUTOMOTIVE, 100 В, 35 А, 4-LFPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9Y53-100B
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.

01 -- 30 August 2007 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 23 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 41 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

BUK9Y53100B,115, BUK9Y53 100B,115, BUK9Y53-100B115, BUK9Y53-100B 115

На английском языке: Datasheet BUK9Y53-100B,115 - NXP N CH MOSFET, TRENCH AUTOMOTIVE, 100 V, 35 A, 4-LFPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России