Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PSMN1R6-30PL,127 - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB — Даташит

Наименование модели: PSMN1R6-30PL,127

16 предложений от 10 поставщиков
NEXPERIA - PSMN1R6-30PL,127 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, 3-TO-220AB
Akcel
Весь мир
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia
от 75 ₽
Utmel
Весь мир
PSMN1R6-30PL,127
Nexperia
от 77 ₽
AiPCBA
Весь мир
PSMN1R6-30PL127
NXP
143 ₽
ТаймЧипс
Россия
PSMN1R6-30PL,127
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 100 А, 3-TO-220AB

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • Количество выводов: 3
  • Тип корпуса: 3-TO-220AB

RoHS: есть

Варианты написания:

PSMN1R630PL,127, PSMN1R6 30PL,127, PSMN1R6-30PL127, PSMN1R6-30PL 127

На английском языке: Datasheet PSMN1R6-30PL,127 - NXP MOSFET, N CH, 30 V, 100 A, 3-TO-220AB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России