Datasheet PHD101NQ03LT - NXP Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, D-PAK — Даташит
Наименование модели: PHD101NQ03LT
9 предложений от 9 поставщиков Биполярные транзисторы - BJT TAPE13 PWR-MOS | |||
PHD101NQ03LT.118 Nexperia | 44 ₽ | ||
PHD101NQ03LT | по запросу | ||
PHD101NQ03LT Philips | по запросу | ||
PHD101NQ03LT /T3 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, D-PAK
Краткое содержание документа:
PHD101NQ03LT
N-channel TrenchMOS logic level FET
Rev.
04 -- 9 June 2009 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 75 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55пїЅпїЅC ... +175°C
- Корпус транзистора: D-PAK
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
- Альтернативный тип корпуса: TO-252
- Current Id Max: 75 А
- Тип корпуса: DPAK
- Power Dissipation Pd: 166 Вт
- Pulse Current Idm: 240 А
- SMD Marking: PHD101NQ03LT
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.9 В
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 244 08 D2 PAK
- Fischer Elektronik - FK 244 13 D2 PAK
- Fischer Elektronik - WLK 5