Datasheet PSMN2R0-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669 — Даташит

Купить PSMN2R0-30YL на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 180 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; 97Вт; SOT669
ChipWorker Весь мир	PSMN2R0-30YL115 NXP	40 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	PSMN2R0-30YL.115 Nexperia	42 ₽	Купить
Utmel Весь мир	PSMN2R0-30YL,115 Nexperia	от 129 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	PSMN2R0-30YL NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN2R0-30YL
N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.

4 -- 10 March 2011 Product data sheet
1. Product profile

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 1.55 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
• Корпус транзистора: SOT-669
• Количество выводов: 4
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
• Current Id Max: 100 А
• On State Resistance Max: 1.55 МОм
• Тип корпуса: SOT-669
• Power Dissipation Pd: 97 Вт
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

PSMN2R030YL, PSMN2R0 30YL