Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PSMN2R5-30YL - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669 — Даташит

NXP PSMN2R5-30YL

Наименование модели: PSMN2R5-30YL

28 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 100А; Idm: 580А; 88Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
PSMN2R5-30YL.115
Nexperia
36 ₽
ChipWorker
Весь мир
PSMN2R5-30YL115
NXP
46 ₽
PSMN2R5-30YL,115
NXP
по запросу
Контест
Россия
PSMN2R5-30YL
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH 30 В 100 А SOT669

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
LF PA K
PSMN2R5-30YL
N-channel 30 V 2.4 m logic level MOSFET in LFPAK
Rev.

04 -- 10 March 2011 Product data sheet
1. Product profile

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 1.79 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-669
  • Количество выводов: 4
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Current Id Max: 100 А
  • On State Resistance Max: 2.4 МОм
  • Тип корпуса: SOT-669
  • Power Dissipation Pd: 88 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Panasonic - EYGA091203SM
  • Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

PSMN2R530YL, PSMN2R5 30YL

На английском языке: Datasheet PSMN2R5-30YL - NXP MOSFET, N CH 30 V 100 A SOT669

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России