HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet NID6002NT4G - ON Semiconductor Даташит SMART полевой транзистор, N, 65 В, 2.5 Вт, D-PAK — Даташит

ON Semiconductor NID6002NT4G

Наименование модели: NID6002NT4G

17 предложений от 11 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 70V 6.5A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
ЧипСити
Россия
NID6002NT4G
ON Semiconductor
109 ₽
AiPCBA
Весь мир
NID6002NT4G
ON Semiconductor
114 ₽
Akcel
Весь мир
NID6002NT4G
ON Semiconductor
от 314 ₽
Acme Chip
Весь мир
NID6002NT4G
ON Semiconductor
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: SMART полевой транзистор, N, 65 В, 2.5 Вт, D-PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NID6002N
Preferred Device
Self-Protected FET with Temperature and Current Limit
65 V, 6.5 A, Single N-Channel, DPAK
http://onsemi.com

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 65 В
  • On Resistance Rds(on): 210 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.85 В
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (19-Dec-2011)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 143mJ
  • Current Id Max: 11 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Pin Configuration: 1(G), 2(D), 3(S)
  • Shutdown Temperature: 200°C
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 65 В
  • Voltage Vgs Max: 1.85 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.4 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet NID6002NT4G - ON Semiconductor SMART MOSFET, N, 65 V, 2.5 W, D-PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России