Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet NTMFS4833NT1G - ON Semiconductor Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 191 А, SO-8FL — Даташит

ON Semiconductor NTMFS4833NT1G

Наименование модели: NTMFS4833NT1G

22 предложений от 13 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 30 В, 26 А, 0.0013 Ом, DFN, Surface Mount
ЧипСити
Россия
NTMFS4833NT1G
ON Semiconductor
71 ₽
ChipWorker
Весь мир
NTMFS4833NT1G
ON Semiconductor
71 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
NTMFS4833NT1G
ON Semiconductor
79 ₽
Контест
Россия
NTMFS4833NT1G
539 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: ON Semiconductor

Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 191 А, SO-8FL

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
NTMFS4833N Power MOSFET
Features
30 V, 191 A, Single N-Channel, SO-8FL
· · · · · · · ·
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb-Free Devices

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 26 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 5
  • Корпус транзистора: DFN
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 125 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet NTMFS4833NT1G - ON Semiconductor MOSFET, N CH, 30 V, 191 A, SO-8FL

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России