Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet RSS130N03FU6TB - Rohm Даташит Полевой транзистор, N, 30 В, 13 А — Даташит

Rohm RSS130N03FU6TB

Наименование модели: RSS130N03FU6TB

15 предложений от 9 поставщиков
Compliant Surface Mount 55 ns Lead Free 30 ns No SVHC 8.1 mΩ 11.1 MΩ
ЧипСити
Россия
RSS130N03FU6TB
Rohm
109 ₽
AiPCBA
Весь мир
RSS130N03FU6TB
116 ₽
ChipWorker
Весь мир
RSS130N03FU6TB
117 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
RSS130N03FU6TB.
Rohm
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Rohm

Описание: Полевой транзистор, N, 30 В, 13 А

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
RSS130N03
Transistors
4V Drive Nch MOS FET
RSS130N03
Structure Silicon N-channel MOS FET External dimensions (Unit : mm)

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 13 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 11.1 МОм
  • Корпус транзистора: SOP
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2010)
  • Capacitance Ciss Typ: 2000 пФ
  • Fall Time tf: 55 нс
  • Тип корпуса: SOP-8
  • Pin Configuration: S(1+2+3), D(5+6+7+8), G(4)
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт
  • Pulse Current Idm: 52 А
  • Rise Time: 30 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
  • Тип транзистора: Protected MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4 В
  • Voltage Vgs th Max: 2.5 В
  • Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Roth Elektronik - RE932-01

На английском языке: Datasheet RSS130N03FU6TB - Rohm MOSFET, N, 30 V, 13 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России