ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet STB11NK40ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 400 В 9 А D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB11NK40ZT4

Наименование модели: STB11NK40ZT4

44 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 400 В, 4.5 А, 0.49 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
STB11NK40ZT4
STMicroelectronics
19 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STB11NK40ZT4
STMicroelectronics
48 ₽
ЧипСити
Россия
STB11NK40ZT4
STMicroelectronics
103 ₽
Akcel
Весь мир
STB11NK40ZT4
STMicroelectronics
от 187 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 400 В 9 А D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11NK40Z, STP11NK40ZFP STP11NK40Z
N-channel 400 V, 0.49 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK , Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STB11NK40Z STP11NK40Z STP11NK40ZFP
VDSS 400V 400V 400V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 400 В
  • On State Resistance: 490 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 10 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Power Dissipation Pd: 110 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 400 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STB11NK40ZT4 - STMicroelectronics MOSFET N CH 400 V 9 A D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России