Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet STB11NM80T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB11NM80T4

Наименование модели: STB11NM80T4

28 предложений от 14 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 8А; Idm: 44А; 150Вт; D2PAK
STB11NM80T4
STMicroelectronics
60 ₽
AiPCBA
Весь мир
STB11NM80T4
STMicroelectronics
103 ₽
ЭИК
Россия
STB11NM80T4
STMicroelectronics
от 923 ₽
STB11NM80T4
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 800 В, 11 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80
N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmeshTM Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247
Features
Type STB11NM80 STF11NM80 STP11NM80 STW11NM80
1

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On Resistance Rds(on): 350 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 150 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 44 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STB11NM80T4 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 800 V, 11 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России