Datasheet STB35NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 40 А, D2PAK — Даташит

Купить STB35NF10T4 на РадиоЛоцман.Цены — от 16 до 808 ₽ 16 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 17.5 А, 0.03 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Стандарт СИЗ Россия	STB35NF10T4 STMicroelectronics	16 ₽	Купить
Триема Россия	STB35NF10T4 STMicroelectronics	32 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STB35NF10T4 STMicroelectronics	322 ₽	Купить
МосЧип Россия	STB35NF10T4 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 40 А, D2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB35NF10 STP35NF10
N-channel 100V - 0.030 - 40A - D2PAK/TO-220 Low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB35NF10 STP35NF10
VDSS 100V 100V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 17.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 30 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рассеиваемая мощность: 115 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: D2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
• Current Id Max: 40 А
• Тип корпуса: D2-PAK
• Способ монтажа: SMD
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть