Аналоги реле Phoenix Contact, Finder, Omron, ABB, Schneider

Datasheet STB4NK60ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 4 А, D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB4NK60ZT4

Наименование модели: STB4NK60ZT4

29 предложений от 15 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный 600В 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK лента на катушке
STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
17 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
35 ₽
Akcel
Весь мир
STB4NK60ZT4
STMicroelectronics
от 149 ₽
Acme Chip
Весь мир
STB4NK60Z-T4
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 4 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP
N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESHTM Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP
Features
Type STB4NK60Z STB4NK60Z-1 STD4NK60Z STD4NK60Z-1 STP4NK60Z STP4NK60ZFP
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On Resistance Rds(on): 1.76 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Рассеиваемая мощность: 70 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 4 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STB4NK60ZT4 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 600 V, 4 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России