LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet STD2NK90Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 900 В 2.1 А IPAK — Даташит

STMicroelectronics STD2NK90Z-1

Наименование модели: STD2NK90Z-1

29 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 1.05 А, 5 Ом, TO-251AA, Through Hole
T-electron
Россия и страны СНГ
STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
30 ₽
Akcel
Весь мир
STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
от 49 ₽
STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
от 177 ₽
Acme Chip
Весь мир
STD2NK90Z-1
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 900 В 2.1 А IPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP2NK90Z - STD2NK90Z STD2NK90Z-1
N-channel 900V - 5 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
General features
Type STD2NK90Z STD2NK90Z-1 STP2NK90Z
VDSS RDS(on) (@Tjmax) 900V 900V 900V <6.5 <6.5 <6.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.05 А
  • Drain Source Voltage Vds: 900 В
  • On State Resistance: 5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: I-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 2.1 А
  • Тип корпуса: IPAK
  • Power Dissipation Pd: 70 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 900 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STD2NK90Z1, STD2NK90Z 1

На английском языке: Datasheet STD2NK90Z-1 - STMicroelectronics MOSFET N CH 900 V 2.1 A IPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России