Datasheet STD3NK60Z-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, I-PAK — Даташит

Купить STD3NK60Z-1 на РадиоЛоцман.Цены — от 9.54 до 141 ₽ 34 предложений от 15 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 2.4 А, 3.3 Ом, TO-251AA, Through Hole
Стандарт СИЗ Россия	STD3NK60Z-1 STMicroelectronics	9.54 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STD3NK60Z-1 STMicroelectronics	21 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	STD3NK60Z-1 STMicroelectronics	по запросу	Купить
ТаймЧипс Россия	STD3NK60Z1 STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, I-PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP3NK60Z - STP3NK60ZFP STB3NK60Z-STD3NK60Z-STD3NK60Z-1
N-CHANNEL 600V - 3.3 - 2.4A TO-220/FP/D2PAK/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP3NK60Z STP3NK60ZFP STB3NK60Z STD3NK60Z STD3NK60Z-1
s s s s s s
VDSS 600 600 600 600 600 V V V V V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 3.3 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 30 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: I-PAK
• Current Id Max: 2.4 А
• Fall Time tf: 14 нс
• Тип корпуса: IPAK
• Power Dissipation Pd: 45 Вт
• Pulse Current Idm: 9.6 А
• Rise Time: 14 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Время выключения: 19 нс
• Время включения: 9 нс
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 244 13 D PAK
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Panasonic - EYGA121807A
• Roth Elektronik - RE901

Варианты написания:

STD3NK60Z1, STD3NK60Z 1