Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet STD3NK90ZT4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 900 В 3 А DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD3NK90ZT4

Наименование модели: STD3NK90ZT4

44 предложений от 19 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 1.5 А, 4.1 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD3NK90ZT4
STMicroelectronics
14 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STD3NK90ZT4
STMicroelectronics
29 ₽
STD3NK90ZT4
STMicroelectronics
от 109 ₽
Acme Chip
Весь мир
STD3NK90ZT4
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 900 В 3 А DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP3NK90Z - STP3NK90ZFP STD3NK90Z - STD3NK90Z-1
N-CHANNEL 900V - 4.1 - 3A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-Protected SuperMESHTMPower MOSFET
TYPE STP3NK90Z STP3NK90ZFP STD3NK90Z STD3NK90Z-1 VDSS 900 900 900 900 V V V V RDS(on) < 4.8 < 4.8 < 4.8 < 4.8 ID 3 3 3 3 A A A A Pw 90 W 25 W 90 W 90 W
3 1 2
TYPICAL RDS(on) = 4.1 EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY 100% AVALANCHE TESTED GATE CHARGE MINIMIZED VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES VERY GOOD MANUFACTURING REPEATIBILITY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 900 В
  • On State Resistance: 4.1 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 3 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Power Dissipation Pd: 90 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 900 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STD3NK90ZT4 - STMicroelectronics MOSFET N CH 900 V 3 A DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России