ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet STD6NF10T4 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6 А, DPAK — Даташит

STMicroelectronics STD6NF10T4

Наименование модели: STD6NF10T4

38 предложений от 17 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 3 А, 0.22 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
STD6NF10T4
STMicroelectronics
7.56 ₽
Триема
Россия
STD6NF10T4
STMicroelectronics
12 ₽
ЭИК
Россия
STD6NF10T4
STMicroelectronics
от 87 ₽
STD6NF10T4
STMicroelectronics
от 108 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N CH, 100 В, 6 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD6NF10 STU6NF10
N-channel 100 V, 0.22 6 A, DPAK, IPAK , low gate charge STripFETTM Power MOSFET
Features
Type STD6NF10 STU6NF10
VDSS 100 V 100 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 220 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Рассеиваемая мощность: 30 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: D-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)
  • Current Id Max: 6 А
  • Тип корпуса: DPAK
  • Способ монтажа: SMD
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STD6NF10T4 - STMicroelectronics MOSFET, N CH, 100 V, 6 A, DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России