HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STD8NM60N-1 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 7 А IPAK — Даташит

STMicroelectronics STD8NM60N-1

Наименование модели: STD8NM60N-1

10 предложений от 4 поставщиков
MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
Akcel
Весь мир
STD8NM60N-1
STMicroelectronics
от 15 ₽
Utmel
Весь мир
STD8NM60N-1
STMicroelectronics
от 17 ₽
Acme Chip
Весь мир
STD8NM60N-1
STMicroelectronics
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
STD8NM60N-1
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 7 А IPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx8NM60N
N-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK
Features
Type STB8NM60N STD8NM60N STD8NM60N-1 STF8NM60N STP8NM60N VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V RDS(on) max < 0.65 < 0.65 < 0.65 < 0.65 < 0.65 ID
3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 560 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: I-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 7 А
  • Тип корпуса: IPAK
  • Power Dissipation Pd: 70 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Варианты написания:

STD8NM60N1, STD8NM60N 1

На английском языке: Datasheet STD8NM60N-1 - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 7 A IPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России