Datasheet STP11NM60FDFP - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220FP — Даташит
Наименование модели: STP11NM60FDFP
Купить STP11NM60FDFP на РадиоЛоцман.Цены — от 89 до 599 ₽ 17 предложений от 10 поставщиков N-channel 600V - 0.4Ω - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmeshTM Power MOSFET (with fast diode) | |||
STP11NM60FDFP STMicroelectronics | 89 ₽ | ||
STP11NM60FDFP STMicroelectronics | 94 ₽ | ||
STP11NM60FDFP STMicroelectronics | 107 ₽ | ||
STP11NM60FDFP STMicroelectronics | 281 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220FP
Краткое содержание документа:
STB11NM60FD - STB11NM60FD-1 STP11NM60FD - STP11NM60FDFP
N-channel 600V - 0.40 - 11A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK FDmeshTM Power MOSFET (with fast diode)
General features
Type STB11NM60FD STB11NM60FD-1 STP11NM60FD STP11NM60FDFP
VDSS 600V 600V 600V 600V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 450 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Корпус транзистора: TO-220FP
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 350mJ
- Capacitance Ciss Typ: 900 пФ
- Current Iar: 5.5 А
- Current Id Max: 11 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -65°C
- Тепловое сопротивление переход-корпус: 3.57°C/W
- Тип корпуса: TO-220FP
- Power Dissipation Pd: 35 Вт
- Pulse Current Idm: 44 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Voltage Vds: 600 В
- Voltage Vds Typ: 600 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 5 В
- Voltage Vgs th Min: 3 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Multicomp - MK3306