Datasheet STP13NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 11 А TO220 — Даташит

Купить STP13NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 20 до 282 ₽ 41 предложений от 20 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; MDmeshTM ||; полевой; 600В; 6,93А; 90Вт
Стандарт СИЗ Россия	STP13NM60N STMicroelectronics	20 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STP13NM60N STMicroelectronics	82 ₽	Купить
Utmel Весь мир	STP13NM60N STMicroelectronics	от 92 ₽	Купить
Элитан Россия	STP13NM60N STMicroelectronics	160 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 11 А TO220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60N STP13NM60N,STW13NM60N
N-channel 600 V, 0.28 , 11 A MDmeshTM II Power MOSFET in D2PAK, DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
Type STB13NM60N STD13NM60N STF13NM60N STP13NM60N STW13NM60N
VDSS (@Tjmax) 650 V 650 V 650 V 650 V 650 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 5.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 280 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 11 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 90 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть