Datasheet STP24NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

Купить STP24NF10 на РадиоЛоцман.Цены — от 8.90 до 306 ₽ 45 предложений от 20 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; STripFETTM II; полевой; 100В; 18А; 85Вт
Стандарт СИЗ Россия	STP24NF10 STMicroelectronics	8.90 ₽	Купить
Akcel Весь мир	STP24NF10 STMicroelectronics	от 22 ₽	Купить
ЭИК Россия	STP24NF10 STMicroelectronics	от 127 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STP24NF10 STMicroelectronics	174 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB24NF10 STP24NF10
N-channel 100V - 0.0055 - 26A - TO-220 - DІPAK Low gate charge STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB24NF10 STP24NF10
VDSS 100V 100V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 26 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On State Resistance: 60 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
• Avalanche Single Pulse Energy Eas: 220mJ
• Capacitance Ciss Typ: 870 пФ
• Current Id Max: 26 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 60 МОм
• Тип корпуса: TO-220
• Pin Configuration: А
• Power Dissipation Pd: 85 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 85 Вт
• Pulse Current Idm: 104 А
• Reverse Recovery Time trr Typ: 100 нс
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Voltage Vds Typ: 100 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 4 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5