Datasheet STP26NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 20 А TO220 — Даташит

Купить STP26NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 56 до 743 ₽ 58 предложений от 22 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NМаксимальное напряжение сток-исток, В: 600Максимальный ток стока (при Ta=25C), А: 20Минимальное сопротивление открытого канала, мОм: 165Емкость, пФ:...
Стандарт СИЗ Россия	STP26NM60N STMicroelectronics	56 ₽	Купить
ЗУМ-СМД Россия	STP26NM60N STMicroelectronics	106 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STP26NM60N STMicroelectronics	123 ₽	Купить
Промэлектроника Россия и страны СНГ	STP26NM60N STMicroelectronics	240 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 20 А TO220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB26NM60N, STF26NM60N STP26NM60N, STW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 , 20 A MDmeshTM II Power MOSFET D2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
Features
Type STB26NM60N STF26NM60N STP26NM60N STW26NM60N
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 10 А
• Drain Source Voltage Vds: 600 В
• On State Resistance: 135 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 20 А
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 140 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 600 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть