Datasheet STP30NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит
Наименование модели: STP30NF10
 Купить STP30NF10 на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 188 ₽47 предложений от 22 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; STripFETTM II; полевой; 100В; 25А; 115Вт | |||
| STP30NF10 STMicroelectronics | 11 ₽ | ||
| STP30NF10 STMicroelectronics | от 22 ₽ | ||
| STP30NF10 STMicroelectronics | 27 ₽ | ||
| STP30NF10 STMicroelectronics | от 113 ₽ | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-220
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
N-CHANNEL 100V - 0.038 - 35A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFETTM II POWER MOSFET
TYPE STB30NF10 STP30NF10 STP30NF10FP
s s s s
VDSS 100 V 100 V 100 V
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 35 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On State Resistance: 45 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-220
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
- Avalanche Single Pulse Energy Eas: 275mJ
- Capacitance Ciss Typ: 1180 пФ
- Current Id Max: 35 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: STP30NF10
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Расстояние между выводами: 2.54 мм
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 45 МОм
- Тип корпуса: TO-220
- Power Dissipation Pd: 115 Вт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 115 Вт
- Pulse Current Idm: 140 А
- Reverse Recovery Time trr Typ: 110 нс
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 100 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Max: 4 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
- Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
- Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
- Fischer Elektronik - WLK 5
