Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet STP4NK60Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP4NK60Z

Наименование модели: STP4NK60Z

53 предложений от 24 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 4 А, 2 Ом, TO-220, Through Hole
IRFBC30 (ST-STP4NK60Z)
STMicroelectronics
9.29 ₽
Akcel
Весь мир
STP4NK60Z
STMicroelectronics
от 25 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой 4NK60Z /STP4NK60Z,P4NK60Z/
69 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
STP4NK60Z
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB4NK60Z, STB4NK60Z-1, STD4NK60Z STD4NK60Z-1, STP4NK60Z,STP4NK60ZFP
N-channel 600 V - 1.76 - 4 A SuperMESHTM Power MOSFET DPAK - D2PAK - IPAK - I2PAK - TO-220 - TO-220FP
Features
Type STB4NK60Z STB4NK60Z-1 STD4NK60Z STD4NK60Z-1 STP4NK60Z STP4NK60ZFP
VDSS 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V 600 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 2 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: SOT-78B
  • Current Id Max: 4 А
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 2 Ом
  • Тип корпуса: TO-220
  • Power Dissipation Pd: 70 мВт
  • Pulse Current Idm: 16 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Voltage Vds: 600 В
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet STP4NK60Z - STMicroelectronics MOSFET, N, TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России