HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STP60NF10 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 100 В 80 А TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP60NF10

Наименование модели: STP60NF10

36 предложений от 18 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; STripFETTM II; полевой; 100В; 66А; 300Вт
IRFB59N10D (ST-STP60NF10)
STMicroelectronics
24 ₽
Akcel
Весь мир
STP60NF10
STMicroelectronics
от 41 ₽
Триема
Россия
60NF10 orig (80A 100V) (STP60NF10)
171 ₽
ЭИК
Россия
STP60NF10
STMicroelectronics
от 291 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 100 В 80 А TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB60NF10 STB60NF10-1 - STP60NF10
N-channel 100V - 0.019 - 80A - TO-220 - D2PAK - I2PAK STripFETTM II Power MOSFET
General features
Type STB60NF10 STB60NF10-1 STP60NF10
VDSS (@Tjmax) 100V 100V 100V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 19 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-220
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 80 А
  • Тип корпуса: TO-220
  • Power Dissipation Pd: 300 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 100 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STP60NF10 - STMicroelectronics MOSFET N CH 100 V 80 A TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России