Datasheet STP8NK100Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 1000 В, 6 А, TO-220 — Даташит

Купить STP8NK100Z на РадиоЛоцман.Цены — от 44 до 731 ₽ 47 предложений от 22 поставщиков N-channel 1000v - 1.60? - 6.5a - to-220 zener-protected supermeshTM mosfet
Стандарт СИЗ Россия	STP8NK100Z STMicroelectronics	44 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STP8NK100Z STMicroelectronics	113 ₽	Купить
ICdarom.ru Россия	STP8NK100Z STMicroelectronics	от 478 ₽	Купить
Элитан Россия	STP8NK100Z STMicroelectronics	491 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 1000 В, 6 А, TO-220

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STF8NK100Z STP8NK100Z
N-CHANNEL 1000V - 1.66 - 9A - TO-220 - TO-220FP Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
Preliminary data
General features
Type VDSS RDS(on) <2 <2 ID Pw

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.3 А
• Drain Source Voltage Vds: 1 кВ
• On State Resistance: 2 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 3.75 В
• Корпус транзистора: TO-220
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 6.5 А
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Расстояние между выводами: 2.54 мм
• Количество транзисторов: 1
• On State resistance @ Vgs = 10V: 2 Ом
• Тип корпуса: TO-220
• Power Dissipation Pd: 160 Вт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 160 Вт
• Pulse Current Idm: 16 А
• SMD Marking: STP8NK100Z
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
• Voltage Vds Typ: 1 кВ
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
• Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
• Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Multicomp - MK3306