Datasheet STW10NK80Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит
Наименование модели: STW10NK80Z
Купить STW10NK80Z на РадиоЛоцман.Цены — от 34 до 963 ₽ 34 предложений от 16 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 9 А, 0.9 Ом, TO-247, Through Hole | |||
STW10NK80Z STMicroelectronics | 34 ₽ | ||
STW10NK80Z STMicroelectronics | 83 ₽ | ||
STW10NK80Z STMicroelectronics | 445 ₽ | ||
STW10NK80Z STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, TO-247
Краткое содержание документа:
STP10NK80ZFP STP10NK80Z - STW10NK80Z
N-CHANNEL 800V - 0.78 - 9A - TO-220/FP-TO-247 Zener-Protected SuperMESHTM MOSFET
General features
Type VDSS RDS(on) ID 9A 9A 9A Pw 160 W 160 W 40 W STW10NK80Z 800 V <0.90 STP10NK80Z 800 V <0.90 STP10NK80ZFP 800 V <0.90
s s s s s
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 900 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Альтернативный тип корпуса: SOT-249
- Current Id Max: 9 А
- On State resistance @ Vgs = 10V: 900 МОм
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 160 Вт
- Pulse Current Idm: 36 А
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5