KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet STW11NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 11 А TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STW11NM80

Наименование модели: STW11NM80

35 предложений от 19 поставщиков
N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-247 mdmeshTM power mosfet
AliExpress
Весь мир
STW11NM80 W11NM80 или STW11NB80 W11NB80 TO-247 11A 800V N-Ch Power MOSFET
36 ₽
IXFH14N80 (ST-STW11NM80)
STMicroelectronics
62 ₽
PL-1
Россия
STW11NM80 (W11NM80)
от 195 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STW11NM80
STMicroelectronics
202 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 11 А TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80
N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmeshTM Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247
Features
Type STB11NM80 STF11NM80 STP11NM80 STW11NM80
1

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On State Resistance: 350 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 11 А
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 150 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STW11NM80 - STMicroelectronics MOSFET N CH 800 V 11 A TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России