Datasheet STW11NM80 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 800 В 11 А TO-247 — Даташит
Наименование модели: STW11NM80
Купить STW11NM80 на РадиоЛоцман.Цены — от 36 до 764 ₽ 35 предложений от 19 поставщиков N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-247 mdmeshTM power mosfet | |||
STW11NM80 W11NM80 или STW11NB80 W11NB80 TO-247 11A 800V N-Ch Power MOSFET | 36 ₽ | ||
IXFH14N80 (ST-STW11NM80) STMicroelectronics | 62 ₽ | ||
STW11NM80 (W11NM80) | от 195 ₽ | ||
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STW11NM80 STMicroelectronics | 202 ₽ |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор N CH 800 В 11 А TO-247
Краткое содержание документа:
STB11NM80, STF11NM80 STP11NM80, STW11NM80
N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmeshTM Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247
Features
Type STB11NM80 STF11NM80 STP11NM80 STW11NM80
1
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 5.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 800 В
- On State Resistance: 350 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 30 В
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 11 А
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 150 Вт
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
- Тип транзистора: Power MOSFET
- Voltage Vds Typ: 800 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть