HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STW12NK80Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STW12NK80Z

Наименование модели: STW12NK80Z

37 предложений от 18 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 10.5 А, 0.65 Ом, TO-247, Through Hole
STW12NK80Z
STMicroelectronics
58 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STW12NK80Z
STMicroelectronics
125 ₽
Промэлектроника
Россия и страны СНГ
STW12NK80Z
STMicroelectronics
388 ₽
STW12NK80Z
STMicroelectronics
от 468 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NK80Z STP12NK80Z - STW12NK80Z
N-channel 800V - 0.65 - 10.5A - TO-220 - D2PAK - TO-247 Zener - Protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STB12NK80Z STP12NK80Z STW12NK80Z
VDSS RDS(on) (@Tjmax) 800V 800V 800V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 800 В
  • On State Resistance: 750 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 3.75 В
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Альтернативный тип корпуса: SOT-249
  • Current Id Max: 10.5 А
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 750 МОм
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 190 Вт
  • Pulse Current Idm: 42 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Voltage Vds Typ: 800 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet STW12NK80Z - STMicroelectronics MOSFET, N, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России