Datasheet STW20NM50 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, TO-247 — Даташит

Купить STW20NM50 на РадиоЛоцман.Цены — от 66 до 1 290 ₽ 32 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; FDmeshTM; полевой; 500В; 14А; 214Вт; TO247
Стандарт СИЗ Россия	STW20NM50FD STMicroelectronics	66 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STW20NM50FD STMicroelectronics	160 ₽	Купить
ЧипСити Россия	STW20NM50 STMicroelectronics	522 ₽	Купить
МосЧип Россия	STW20NM50FD STMicroelectronics	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, TO-247

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STW20NM50
N-CHANNEL 550V @ Tjmax - 0.20 - 20A TO-247 MDmeshTM MOSFET
TYPE STW20NM50 VDSS (@Tjmax) 550V RDS(on) < 0.25 ID 20 A
TYPICAL RDS(on) = 0.20 HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES 100% AVALANCHE TESTED LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE LOW GATE INPUT RESISTANCE TIGHT PROCESS CONTROL AND HIGH MANUFACTURING YIELDS DESCRIPTION The MDmeshTM is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company's PowerMESHTM horizontal layout.

The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products. APPLICATIONS The MDmeshTM family is very suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and higher efficiencies.
3 2 1

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 20 А
• Drain Source Voltage Vds: 550 В
• On State Resistance: 250 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 4 В
• Корпус транзистора: TO-247
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 20 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• N-channel Gate Charge: 40nC
• Количество транзисторов: 1
• Тип корпуса: TO-247
• Power Dissipation Pd: 214 Вт
• Pulse Current Idm: 80 А
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
• Voltage Vds: 550 В
• Voltage Vds Typ: 500 В
• Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 3 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5