Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet STW7NK90Z - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 900 В 5.8 А TO-247 — Даташит

STMicroelectronics STW7NK90Z

Наименование модели: STW7NK90Z

33 предложений от 15 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 900 В, 2.9 А, 1.56 Ом, TO-247, Through Hole
STW7NK90Z
STMicroelectronics
33 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STW7NK90Z
STMicroelectronics
82 ₽
ChipWorker
Весь мир
STW7NK90Z
STMicroelectronics
204 ₽
Akcel
Весь мир
STW7NK90Z
STMicroelectronics
от 272 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 900 В 5.8 А TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STP6NK90Z - STP6NK90ZFP STB6NK90Z - STW7NK90Z
N-channel 900V - 1.56 - 5.8A - TO-220/TO-220FP/D2PAK/TO-247 Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
Features
Type STP6NK90Z STP6NK90ZFP STB6NK90Z STW7NK90Z
VDSS 900 V 900 V 900 V 900 V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 900 В
  • On State Resistance: 1.56 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 30 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 5.8 А
  • Тип корпуса: TO-247
  • Power Dissipation Pd: 140 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3.75 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 900 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STW7NK90Z - STMicroelectronics MOSFET N CH 900 V 5.8 A TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России