KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet STY60NM50 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, MAX-247 — Даташит

STMicroelectronics STY60NM50

Наименование модели: STY60NM50

35 предложений от 18 поставщиков
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 500 В; Iс(25°C): 60 А; Rси(вкл): 50 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 190...
Триема
Россия
STY60NM50
2.00 ₽
Контест
Россия
STY60NM50
2.04 ₽
Akcel
Весь мир
STY60NM50
STMicroelectronics
от 1 524 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
STY60NM50FD
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, MAX-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STY60NM50
N-CHANNEL 500V - 0.045 - 60A Max247 Zener-Protected MDmeshTMPower MOSFET
TYPE STY60NM50 VDSS 500V RDS(on) < 0.05 ID 60 A
TYPICAL RDS(on) = 0.045 HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES IMPROVED ESD CAPABILITY LOW INPUT CAPACITANCE AND GATE CHARGE LOW GATE INPUT RESISTANCE TIGHT PROCESS CONTROL INDUSTRY'S LOWEST ON-RESISTANCE DESCRIPTION The MDmeshTM is a new revolutionary MOSFET technology that associates the Multiple Drain process with the Company's PowerMESHTM horizontal layout.

The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company's proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition's products. APPLICATIONS The MDmeshTM family is very suitable for increasing power density of high voltage converters allowing system miniaturization and higher efficiencies.
2 1

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 60 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 50 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 4 В
  • Корпус транзистора: MAX-247
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 60 А
  • Количество транзисторов: 1
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 50 МОм
  • Тип корпуса: TO-247MAX
  • Power Dissipation Pd: 560 Вт
  • Pulse Current Idm: 240 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: Y-Ex

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
  • Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
  • Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet STY60NM50 - STMicroelectronics MOSFET, N, MAX-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России