Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet PD57006 - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, RF, 6 Вт, 960 МГц — Даташит

STMicroelectronics PD57006

Наименование модели: PD57006

27 предложений от 21 поставщиков
STMICROELECTRONICS PD57006-E RF FET Transistor, 65V, 1A, 20W, 925MHz, 960MHz, SOIC
PD57006-E
STMicroelectronics
425 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
PD57006STR-E
STMicroelectronics
786 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PD57006S-E
STMicroelectronics
по запросу
МосЧип
Россия
PD57006STR
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, RF, 6 Вт, 960 МГц

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD57006 PD57006S
RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY
ADVANCE DATA
N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE LATERAL MOSFETs
· EXCELLENT THERMAL STABILITY · COMMON SOURCE CONFIGURATION · POUT = 6 W with 15 dB gain @ 945 MHz / 28V · NEW RF PLASTIC PACKAGE DESCRIPTION The PD57006 is a common source N-Channel, enhancement-mode lateral Field-Effect RF power transistor.

It is designed for high gain, broad band commercial and industrial applications. It operates at 28 V in common source mode at frequencies of up to 1 GHz. PD57006 boasts the excellent gain, linearity and reliability of ST's latest LDMOS technology mounted in the first true SMD plastic RF power package, PowerSO-10RF. PD57006's superior linearity performance makes it an ideal solution for car mobile radio. The PowerSO-10 plastic package, designed to offer high reliability, is the first ST JEDEC approved, high power SMD package. It has been specially optimized for RF needs and offers excellent RF performances and ease of assembly.

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 1 А
  • Drain Source Voltage Vds: 65 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Корпус транзистора: PowerSO-10RF
  • Количество выводов: 10
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Температура перехода максимальная: 165°C
  • Выходная мощность: 6 Вт
  • Тип корпуса: PowerSO-10RF
  • Power Dissipation Pd: 6 Вт
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 20 Вт
  • Power Gain Gp Typ: 15 дБ
  • Напряжение питания: 28 В
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 5 В
  • Voltage Vds Typ: 65 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet PD57006 - STMicroelectronics MOSFET, N, RF, 6 W, 960 MHz

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России