Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet STB30NM60ND - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 25 А D2PAK — Даташит

STMicroelectronics STB30NM60ND

Наименование модели: STB30NM60ND

11 предложений от 8 поставщиков
MOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
Akcel
Весь мир
STB30NM60ND
STMicroelectronics
от 281 ₽
AiPCBA
Весь мир
STB30NM60ND
STMicroelectronics
420 ₽
ChipWorker
Весь мир
STB30NM60ND
STMicroelectronics
430 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
STB30NM60ND
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 25 А D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STx30NM60ND
N-channel 600 V, 0.11 , 25 A FDmeshTM II Power MOSFET (with fast diode) TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
Features
Type STB30NM60ND STI30NM60ND STF30NM60ND STP30NM60ND STW30NM60ND VDSS @TJ max RDS(on) max ID 25 A 25 A 25 A(1) 25 A 25 A
I PAK

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 12.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 110 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: D2-PAK
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 25 А
  • Тип корпуса: D2-PAK
  • Power Dissipation Pd: 190 Вт
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STB30NM60ND - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 25 A D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России