Datasheet STF25NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220FP — Даташит

STMicroelectronics STF25NM60N

Наименование модели: STF25NM60N

Купить STF25NM60N на РадиоЛоцман.Цены — от 130 до 372 ₽ 15 предложений от 8 поставщиков MOSFET транзистор: N-ch, 600В, 21А
Akcel Весь мир	STF25NM60N STMicroelectronics	от 130 ₽
Utmel Весь мир	STF25NM60N STMicroelectronics	от 132 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	STF25NM60N STMicroelectronics	по запросу
Acme Chip Весь мир	STF25NM60N STMicroelectronics	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 600 В, TO-220FP

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB25NM60N/-1 - STF25NM60N STP25NM60N - STW25NM60N
N-channel 600V - 0.140 - 20A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB25NM60N STB25NM60N-1 STF25NM60N STP25NM60N STW25NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V 650V RDS(on) <0.170 <0.170 <0.170 <0.170 <0.170 ID
3

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 20 А
Drain Source Voltage Vds: 600 В
On State Resistance: 170 МОм
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 25 В
Корпус транзистора: TO-220FP
SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
Avalanche Single Pulse Energy Eas: 850mJ
Current Id Max: 21 А
On State resistance @ Vgs = 10V: 170 МОм
Тип корпуса: TO-220FP
Power Dissipation Pd: 40 Вт
Pulse Current Idm: 80 А
Способ монтажа: Through Hole
Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
Voltage Vds: 600 В
Voltage Vds Typ: 600 В
Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
Voltage Vgs th Max: 4 В
Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS