HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet STF7NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 500 В 5 А TO-220FP — Даташит

STMicroelectronics STF7NM50N

Наименование модели: STF7NM50N

7 предложений от 7 поставщиков
MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP
AiPCBA
Весь мир
STF7NM50N
STMicroelectronics
314 ₽
ChipWorker
Весь мир
STF7NM50N
STMicroelectronics
315 ₽
STF7NM50N
STMicroelectronics
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
STF7NM50N
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 500 В 5 А TO-220FP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STD7NM50N - STD7NM50N-1 STF7NM50N - STP7NM50N
N-channel 500V - 0.70 - 5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STD7NM50N STD7NM50N-1 STF7NM50N STP7NM50N VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V RDS(on) <0.78 <0.78 <0.78 <0.78 ID
1 3 2

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 500 В
  • On State Resistance: 700 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-220FP
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Current Id Max: 5 А
  • Тип корпуса: TO-220FP
  • Power Dissipation Pd: 20 Вт
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STF7NM50N - STMicroelectronics MOSFET N CH 500 V 5 A TO-220FP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России