Datasheet STI14NM65N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 650 В 12 А I2PAK — Даташит

Купить STI14NM65N на РадиоЛоцман.Цены — от 214 до 705 ₽ 17 предложений от 11 поставщиков N-channel 650 v, 0.33 ?, 12 a mdmeshTM ii power mosfet i2pak
ЧипСити Россия	STI14NM65N STMicroelectronics	214 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	STI14NM65N STMicroelectronics	229 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	STI14NM65N STMicroelectronics	235 ₽	Купить
Utmel Весь мир	STI14NM65N STMicroelectronics	от 705 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 650 В 12 А I2PAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB14NM65N, STF14NM65N STI14NM65N,STP14NM65N,STW14NM65N
N-channel 650 V, 0.33 , 12 A MDmeshTM II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247
Features
Type STI14NM65N STB14NM65N STF14NM65N STP14NM65N STW14NM65N VDSS (@TJmax) 710 V 710 V 710 V 710 V 710 V RDS(on) max < 0.38 < 0.38 < 0.38 < 0.38 < 0.38 ID
3

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6 А
• Drain Source Voltage Vds: 650 В
• On State Resistance: 330 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 25 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: I2-PAK
• Количество выводов: 3
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 12 А
• Тип корпуса: I2-PAK
• Power Dissipation Pd: 125 Вт
• Способ монтажа: Through Hole
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Тип транзистора: Power MOSFET
• Voltage Vds Typ: 650 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть