LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet STP12NM60N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO-220 — Даташит

STMicroelectronics STP12NM60N

Наименование модели: STP12NM60N

18 предложений от 8 поставщиков
N-CHANNEL 600V - 0.35mOm - 10A. Исполнение: TO-220
Utmel
Весь мир
STP12NM60N
STMicroelectronics
от 64 ₽
Akcel
Весь мир
STP12NM60N
STMicroelectronics
от 67 ₽
PL-1
Россия
STP12NM60N
от 157 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
STP12NM60N
STMicroelectronics
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор N CH 600 В 10 А TO-220

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NM60N/-1 - STF12NM60N STP12NM60N - STW12NM60N
N-channel 600V - 0.35 - 10A - D2/I2PAK - TO-220/FP - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
Features
Type STB12NM60N STB12NM60N-1 STF12NM60N STP12NM60N STW12NM60N VDSS (@Tjmax) 650V 650V 650V 650V 650V RDS(on) < 0.41 < 0.41 < 0.41 < 0.41 < 0.41 ID
1 3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5 А
  • On State Resistance: 350 МОм
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: TO-220
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Тип корпуса: TO-220
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Тип транзистора: Power MOSFET
  • Voltage Vds Typ: 600 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet STP12NM60N - STMicroelectronics MOSFET N CH 600 V 10 A TO-220

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России