Datasheet STW21NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-247 — Даташит
Наименование модели: STW21NM50N
Купить STW21NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 70 до 128 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET N-CH 500V 18A TO-247 | |||
| STW21NM50N STMicroelectronics | от 70 ₽ | ||
| STW21NM50N STMicroelectronics | от 72 ₽ | ||
| STW21NM50N | по запросу | ||
| STW21NM50N STMicroelectronics | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-247
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
STP21NM50N-STF21NM50N-STW21NM50N STB21NM50N - STB21NM50N-1
N-CHANNEL 500V - 0.15 - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 SECOND GENERATION MDmeshTM MOSFET
Table 1: General Features
TYPE STB21NM50N STB21NM50N-1 STF21NM50N STP21NM50N STW21NM50N
Figure 1: Package
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 18 А
- Drain Source Voltage Vds: 550 В
- On State Resistance: 190 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 18 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 66.6nC
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 190 МОм
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 140 Вт
- Pulse Current Idm: 72 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 15V/ns
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 500 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5
