Datasheet STW25NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-247 — Даташит
Наименование модели: STW25NM50N
Купить STW25NM50N на РадиоЛоцман.Цены — от 75 до 172 ₽ 15 предложений от 9 поставщиков MOSFET IGBT MOSFET Driver Power MDmesh | |||
STW25NM50N STMicroelectronics | от 75 ₽ | ||
STW25NM50N STMicroelectronics | от 77 ₽ | ||
STW25NM50N STMicroelectronics | 172 ₽ | ||
STW25NM50N STMicroelectronics | по запросу |
Подробное описание
Производитель: STMicroelectronics
Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-247
Краткое содержание документа:
STB25NM50N/-1 - STF25NM50N STP25NM50N - STW25NM50N
N-channel 500V - 0.11 - 22A - TO-220 /FP- I2/D2PAK - TO-247 Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB25NM50N STB25NM50N-1 STF25NM50N STP25NM50N STW25NM50N VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V 550V RDS(on) <0.140 <0.140 <0.140 <0.140 <0.140 ID
3
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 22 А
- Drain Source Voltage Vds: 600 В
- On State Resistance: 140 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 25 В
- Корпус транзистора: TO-247
- Количество выводов: 3
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 22 А
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 84nC
- Количество транзисторов: 1
- On State resistance @ Vgs = 10V: 140 МОм
- Тип корпуса: TO-247
- Power Dissipation Pd: 160 Вт
- Pulse Current Idm: 88 А
- Rate of Voltage Change dv / dt: 44V/ns
- Способ монтажа: Through Hole
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds: 600 В
- Voltage Vds Typ: 500 В
- Voltage Vgs Rds N Channel: 10 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
- Voltage Vgs th Min: 2 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
- Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
- Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
- Fischer Elektronik - WLK 5