Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet STF12NM50N - STMicroelectronics Даташит Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220FP — Даташит

STMicroelectronics STF12NM50N

Наименование модели: STF12NM50N

8 предложений от 8 поставщиков
ORIGINAL. Исполнение: TO220FP
AP16N50I (ST-STF12NM50N)
STMicroelectronics
42 ₽
Элитан
Россия
STF12NM50N
STMicroelectronics
86 ₽
Десси
Россия
Транзистор полевой /MOS-FET или IGBT/ STF12NM50N plast
STMicroelectronics
196 ₽
Utmel
Весь мир
STF12NM50N
STMicroelectronics
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Полевой транзистор, N, 500 В, TO-220FP

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STB12NM50N - STD12NM50N STF12NM50N - STP12NM50N
N-channel 500V - 0.29 - 11A - TO-220 /FP- D2PAK - DPAK Second generation MDmeshTM Power MOSFET
General features
Type STB12NM50N STD12NM50N STF12NM50N STP12NM50N
VDSS (@Tjmax) 550V 550V 550V 550V

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 11 А
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 380 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Корпус транзистора: TO-220FP
  • Количество выводов: 3
  • SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
  • Avalanche Single Pulse Energy Eas: 350mJ
  • Current Id Max: 11 А
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 380 МОм
  • Тип корпуса: TO-220FP
  • Power Dissipation Pd: 25 Вт
  • Pulse Current Idm: 44 А
  • Способ монтажа: Through Hole
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Voltage Vds: 550 В
  • Voltage Vds Typ: 500 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
  • Voltage Vgs th Max: 4 В
  • Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - SK 145/37,5 STS-220
  • Fischer Elektronik - SK 409/25,4 STS
  • Fischer Elektronik - SK 409/50,8 STS

На английском языке: Datasheet STF12NM50N - STMicroelectronics MOSFET, N, 500 V, TO-220FP

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России