ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SI7149DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8 — Даташит

Vishay SI7149DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7149DP-T1-GE3

20 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -50А; Idm: -70А; 44,4Вт
ЧипСити
Россия
SI7149DP-T1-GE3
Vishay
84 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI7149DP-T1-GE3
Vishay
89 ₽
TradeElectronics
Россия
SI7149DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI7149DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 30 В, 50 А, PPAK SO8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
Si7149DP
Vishay Siliconix
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -30 В
  • On State Resistance: 4.2 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Voltage Vgs Max: 25 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -50 А
  • Power Dissipation Pd: 69 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI7149DPT1GE3, SI7149DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7149DP-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, 30 V, 50 A, PPAK SO8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России