Datasheet SI7450DP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 200V.3.2A, PPSO8 — Даташит

Купить SI7450DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 53 до 10 321 ₽ 21 предложений от 10 поставщиков VISHAY SI7450DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 3.2A, 200V, 65mohm, 10V, 4.5V
Akcel Весь мир	SI7450DP-T1-GE3 Vishay	от 53 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI7450DP-T1-GE3 Vishay	150 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI7450DP-T1-GE3 Vishay	229 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI7450DPT1GE3	10 321 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 200V.3.2A, PPSO8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7450DP
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 200 RDS(on) () 0.080 at VGS = 10 V 0.090 at VGS = 6 V ID (A) 5.3 5.0

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On State Resistance: 5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8
• Current Id Max: 3.2 А
• Current Temperature: 25°C
• External Depth: 5.26 мм
• Внешняя длина / высота: 1.2 мм
• Внешняя ширина: 6.2 мм
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тепловое сопротивление переход-корпус: 1.8 °C/Вт
• N-channel Gate Charge: 42nC
• On State Resistance Max: 80 МОм
• Тип корпуса: PowerPAK SO
• Power Dissipation Pd: 1.9 Вт
• Pulse Current Idm: 40 А
• Способ монтажа: SMD
• Threshold Voltage Vgs Typ: 4.5 В
• Voltage Vds Typ: 200 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Min: 2 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE932-01

Варианты написания:

SI7450DPT1GE3, SI7450DP T1 GE3