Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet SI9433BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.5 А, 8SOIC — Даташит

Vishay SI9433BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI9433BDY-T1-GE3

26 предложений от 10 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, P Канал, 20 В, 4.5 А, 0.03 Ом, SOIC, Surface Mount
ЧипСити
Россия
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay
31 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay
33 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay
39 ₽
Akcel
Весь мир
SI9433BDY-T1-GE3
Vishay
от 1 359 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, P CH, 20 В, 4.5 А, 8SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si9433BDY
Vishay Siliconix
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) - 20 RDS(on) () 0.040 at VGS = - 4.5 V 0.060 at VGS = - 2.7 V ID (A) - 6.2 - 5.0

Спецификации:

  • Полярность транзистора: P Channel
  • Drain Source Voltage Vds: -20 В
  • On State Resistance: 30 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5 В
  • Voltage Vgs Max: 12 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: -4.5 А
  • Power Dissipation Pd: 1.3 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI9433BDYT1GE3, SI9433BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI9433BDY-T1-GE3 - Vishay MOSFET, P CH, 20 V, 4.5 A, 8SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России