ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet SIHB22N60S-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 600 В, 22 А, TO263 — Даташит

Vishay SIHB22N60S-E3

Наименование модели: SIHB22N60S-E3

11 предложений от 8 поставщиков
N-Channel 600 V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
AiPCBA
Весь мир
SIHB22N60S-E3
Vishay
194 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIHB22N60S-E3
Vishay
194 ₽
Acme Chip
Весь мир
SIHB22N60SE3
Vishay
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
SIHB22N60SE3
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 600 В, 22 А, TO263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SiHB22N60S
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS at TJ max.

(V) RDS(on) () Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC) Configuration VGS = 10 V 98 17 25 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Drain Source Voltage Vds: 600 В
  • On State Resistance: 160 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3
  • Current Id Max: 22 А
  • Power Dissipation Pd: 250 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SIHB22N60SE3, SIHB22N60S E3

На английском языке: Datasheet SIHB22N60S-E3 - Vishay MOSFET, N CH, 600 V, 22 A, TO263

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России